《科儀新知》「磁性材料及元件應用技術」專題已出刊，歡迎下載參閱
目前全球已面臨傳統半導體材料的物理瓶頸，如何跨越電晶體微縮的物理極限，並趕上摩爾定律 (Moore’s Law) 每兩年電晶體數目增加一倍的速度，成為半導體業亟欲發展的技術關鍵。與傳統電子元件相比，自旋電子元件可以提供更高能源效率和更低功耗，因此，全世界紛紛戮力投入磁性材料的物理性質及其奈米結構化製程研究。封面照片為曾院介教授團隊透過原子層級模擬分析 (Vampire) 在不同溫度下的磁矩翻轉過程，可於原子層級觀察磁矩於室溫下受到熱擾動因素，磁矩本身排列紊亂而更容易翻轉，此研究有助於了解磁性記憶體在受溫度影響下之可靠度表現。
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